Micron Siapkan DRAM Generasi Baru Menggunakan Wafer Bonding dan Teknologi High NA EUV

Micron Technology memperkenalkan strategi pengembangan memori DRAM generasi baru dengan mengandalkan wafer bonding dan teknologi litografi High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet atau High NA EUV. Rencana tersebut menjadi bagian dari upaya perusahaan mempertahankan peningkatan kepadatan memori ketika proses miniaturisasi semikonduktor semakin menghadapi keterbatasan fisik. Dalam perkembangan TEKNOLOGI industri chip, pendekatan ini membuka peluang peningkatan kapasitas, efisiensi energi, dan kemampuan pemrosesan data. Micron juga menyiapkan arsitektur memori tiga dimensi serta solusi memori berkecepatan tinggi untuk mendukung kebutuhan kecerdasan buatan, pusat data, dan perangkat komputasi generasi mendatang.

Micron Mengembangkan Teknologi DRAM Generasi Baru dengan Strategi Berbeda

Perusahaan pengembang DRAM dan NAND memperkenalkan rencana teknologi memori generasi berikutnya melalui webinar teknologi yang berlangsung pada 21 Oktober 2026. Dalam kegiatan tersebut, Scott DeBoer selaku President dan Chief Technology and Products Officer Micron menguraikan pendekatan perusahaan dalam memperbesar kapasitas penyimpanan memori. Perubahan strategis yang menjadi perhatian adalah tidak melanjutkan arsitektur sel DRAM 4F² sebagai jalur utama miniaturisasi. Melalui strategi alternatif, Micron berencana melanjutkan arsitektur 6F² dengan dukungan wafer bonding dan pengembangan struktur tiga dimensi. Arah pengembangan baru tersebut menunjukkan perhatian perusahaan terhadap biaya manufaktur, kompleksitas produksi, dan peningkatan kinerja memori.

Strategi penelitian terbaru ini berkaitan erat dengan meningkatnya kebutuhan memori untuk infrastruktur pemrosesan AI. Dalam sistem komputer modern, DRAM memegang peranan penting dalam mendukung pemrosesan informasi sementara. Ketika aplikasi semakin kompleks, produsen semikonduktor dituntut untuk menghadirkan chip yang mampu menampung lebih banyak data tanpa mengorbankan efisiensi daya. Namun demikian, memperkecil ukuran transistor dan kapasitor memerlukan metode manufaktur yang semakin rumit. Sebagai jawaban terhadap tantangan tersebut, Micron mengembangkan strategi manufaktur bertahap agar peningkatan kepadatan tetap memungkinkan.

Mengenal Teknologi Penyambungan Wafer untuk Chip Generasi Baru

Salah satu teknologi utama adalah wafer bonding, yaitu teknik penyambungan dua wafer semikonduktor atau lebih untuk menggabungkan komponen dalam satu sistem. Pada proses manufaktur DRAM, pendekatan ini membuka peluang bagi pemisahan beberapa fungsi rangkaian sebelum komponen dirangkai menjadi satu. Metode tersebut dapat menghadirkan fleksibilitas desain yang semakin luas dibandingkan dengan sejumlah pendekatan manufaktur konvensional. Walaupun potensinya menjanjikan, Micron belum menjelaskan secara terperinci bagaimana wafer bonding akan digunakan pada generasi memori 1ε. Karena informasi teknisnya masih terbatas, keuntungan kuantitatif teknologi tersebut masih memerlukan pengujian.

Micron merencanakan penerapan wafer bonding pada node DRAM 1ε atau 1-epsilon, yang menjadi penerus teknologi 1-delta. Proses produksi berikutnya merupakan bagian dari peta jalan pengembangan memori planar Micron. Dari sudut pandang teknologi, wafer bonding berpotensi mendukung efisiensi penggunaan area chip melalui integrasi beberapa lapisan semikonduktor. Namun penerapannya memerlukan pertimbangan mengenai ketepatan penyelarasan wafer, kualitas sambungan, dan efisiensi proses manufaktur. Ketidaksempurnaan pada permukaan wafer bisa berdampak terhadap fungsi sirkuit maupun jumlah chip yang dapat digunakan. Dengan mempertimbangkan tantangan tersebut, pengembangan wafer bonding memerlukan kemampuan fabrikasi presisi, tetapi juga optimalisasi biaya manufaktur.

Teknologi High NA EUV untuk Mencetak Struktur Chip Lebih Kecil

Tidak hanya berfokus pada integrasi wafer, Micron juga merencanakan pemanfaatan High NA EUV untuk generasi proses DRAM berikutnya. High NA EUV merupakan teknik litografi beresolusi tinggi yang bertujuan mencetak pola dengan dimensi semakin kecil. Jika dibandingkan dengan litografi EUV standar, teknologi ini menawarkan karakteristik resolusi optik yang lebih maju. Peningkatan kemampuan optik ini membantu memperkecil ukuran fitur yang dibentuk melalui proses litografi. Dengan demikian, High NA EUV menjadi salah satu pendekatan potensial untuk melanjutkan miniaturisasi DRAM.

Pada rencana pengembangan teknologi DRAM, High NA EUV dipertimbangkan untuk generasi 1ζ atau 1-zeta dan node lanjutan setelahnya. Teknologi ini dapat memberikan kemampuan tambahan bagi pengembangan DRAM dengan kepadatan komponen yang meningkat. Meski memiliki keunggulan teknis, penggunaan High NA EUV membutuhkan investasi sangat besar. Tidak hanya biaya pembelian sistem, produsen chip harus mempertimbangkan produktivitas manufaktur, stabilitas proses pencetakan, dan integrasi terhadap proses fabrikasi. Micron juga menjalankan kolaborasi dengan Albany NanoTech untuk mengeksplorasi proses produksi semikonduktor generasi berikutnya. Namun, jadwal produksi massal High NA EUV untuk DRAM Micron belum ditetapkan secara terbuka.

Strategi Transisi Micron Menuju Teknologi DRAM Tiga Dimensi

Dalam peta jalan teknologinya, Micron menempatkan generasi 1γ atau 1-gamma sebagai teknologi produksi yang sedang digunakan. Generasi proses ini sudah digunakan dalam manufaktur berskala besar. Sebagai penerusnya, Micron menyiapkan node 1δ atau 1-delta yang dijadwalkan mengalami peningkatan produksi pada paruh kedua 2027. Berdasarkan sasaran pengembangan perusahaan, generasi tersebut memberikan kenaikan kepadatan bit pada kisaran dua puluhan persen dibandingkan 1-gamma. Target kepadatan yang lebih tinggi dapat mendukung kapasitas memori lebih besar dalam area wafer yang tersedia. Walaupun sasaran telah diumumkan, realisasi keuntungan tersebut ditentukan oleh proses pengembangan dan hasil produksi aktual.

Pada tahapan yang lebih maju, Micron memperluas penelitian menuju 1-epsilon dengan rencana penerapan penyambungan wafer. Pada generasi yang lebih jauh, perusahaan mulai mengeksplorasi node 1-zeta dan 1-eta yang mengandalkan kombinasi teknologi litografi lanjutan. Selain melanjutkan miniaturisasi dua dimensi, Micron juga memiliki rencana 3D DRAM melalui generasi 3D1 dan 3D2. Pendekatan integrasi memori vertikal dapat menjadi alternatif untuk meningkatkan kapasitas melalui pengembangan struktur vertikal. Kendati pengembangannya sedang berlangsung, Micron belum mengumumkan tanggal produksi massal 3D DRAM. Waktu penggunaan teknologi tersebut bergantung pada evaluasi biaya, kompleksitas manufaktur, dan manfaat teknis terhadap DRAM konvensional.

Dampak Teknologi DRAM Baru terhadap AI dan Industri Semikonduktor

Perkembangan DRAM generasi baru memiliki hubungan erat dengan sistem kecerdasan buatan yang mengolah data dalam jumlah tinggi. Di infrastruktur komputasi berskala besar, kinerja memori menentukan sebagian kemampuan sistem dalam mengakses data. Dengan berkembangnya beban kerja komputasi, kebutuhan terhadap akses data berkecepatan tinggi terus meningkat. Karena itu, Micron mengembangkan sejumlah solusi DRAM lanjutan seperti HBM5, vertical high-bandwidth memory atau vHBM, dan vertical edge inference memory atau vEIM. Strategi diversifikasi tersebut mencerminkan perhatian perusahaan yang tidak hanya meningkatkan kepadatan penyimpanan, tetapi juga mempertimbangkan konsumsi energi.

Inovasi yang menjadi perhatian adalah vHBM, yaitu teknologi integrasi memori dan prosesor dalam susunan vertikal. Dibandingkan dengan susunan HBM tradisional, vHBM bertujuan memperpendek jalur komunikasi. Dalam rancangan tersebut, pendekatan ini berpotensi meningkatkan bandwidth. Di balik potensi tersebut, penempatan memori langsung di atas prosesor meningkatkan kebutuhan pengendalian suhu. Micron juga mengembangkan vEIM yang mengutamakan kebutuhan pemrosesan berdaya terbatas. Target awal vEIM menargetkan kemampuan transfer data sebesar 2 TB/s dengan konsumsi energi di bawah 1 pJ untuk setiap bit. Namun, jadwal peluncuran komersial teknologi tersebut belum memiliki tanggal resmi.

Masa Depan Teknologi Memori dengan Wafer Bonding dan High NA EUV

Strategi pengembangan Micron memperlihatkan arah pengembangan baru dalam industri semikonduktor modern. Dengan menyiapkan penerapan wafer bonding pada generasi 1-epsilon dan High NA EUV untuk node berikutnya, perusahaan mencari pendekatan baru untuk memperbesar kapasitas memori ketika batas fisik semakin terasa. Tidak terbatas pada teknologi manufaktur planar, Micron juga mengembangkan teknologi memori vertikal serta menyiapkan solusi memori khusus untuk berbagai kebutuhan pemrosesan modern. Meskipun jadwal komersialisasi beberapa inovasi belum diumumkan, perkembangan tersebut memberikan gambaran tentang masa depan TEKNOLOGI memori yang berorientasi pada kapasitas serta efisiensi energi. Bagaimana menurut Anda pengaruh inovasi DRAM tiga dimensi terhadap perkembangan perangkat kecerdasan buatan? Sampaikan pandangan Anda mengenai masa depan pengembangan DRAM.